元智大學(xué)副校長李清庭 獲最高榮譽(yù)「110 年電機(jī)工程獎?wù)隆?/h1>
元智大學(xué)李清庭副校長。圖：元智大學(xué)提供
中國電機(jī)工程學(xué)會為表揚(yáng)優(yōu)秀電機(jī)工程師之傑出成就，以激勵其創(chuàng)新奮發(fā)之精神，特設(shè)有代表電機(jī)工程界最高榮譽(yù)之學(xué)術(shù)研究、工程事業(yè)兩類工程獎?wù)拢睹磕陼T大會時頒發(fā)，每年各頒授一座。元智大學(xué)李清庭副校長學(xué)養(yǎng)俱豐，長期投入半導(dǎo)體元件及光電元件領(lǐng)域，研究成果斐然，受到電機(jī)工程學(xué)會高度肯定，獲選為110 年電機(jī)工程獎?wù)?ndash;學(xué)術(shù)研究類殊榮。
現(xiàn)任元智大學(xué)李清庭副校長兼國立成功大學(xué)名譽(yù)講座教授，學(xué)養(yǎng)俱豐，長期投入半導(dǎo)體元件及光電元件領(lǐng)域，研究成果斐然；開創(chuàng)新的學(xué)術(shù)領(lǐng)域及開拓學(xué)術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)帄臺，貢獻(xiàn)良多、功績卓著，足為電機(jī)工程師楷模，經(jīng)中國電機(jī)工程學(xué)會獎?wù)挛瘑T會審議推薦為110 年電機(jī)工程獎?wù)?ndash;學(xué)術(shù)研究類得獎人。
李清庭教授於 1972 年及 1974 年獲得國立成功大學(xué)電機(jī)系學(xué)士及電機(jī)研究所碩士，並於1982 年獲得美國卡內(nèi)基美隆大學(xué)(Carnegie-Mellon University)電機(jī)博士，於 1976 年迄今為中國電機(jī)工程學(xué)會永久會員，並由 2009 年起迄今擔(dān)任理事及相關(guān)委員會委員，目前為常務(wù)理事，對於學(xué)會發(fā)展有長久及傑出的貢獻(xiàn)。
李清庭教授在所獲得的諸多獎項及榮譽(yù)中，曾榮獲科技部(國科會)傑出研究獎 3 次及第一級主持人一次、IEEE 會士(EDS Fellow 及 LEOS Fellow)、IET 會士、亞太材料科學(xué)院院士(Asia-Pacific Academy of Materials Academician)、瑞典國際先進(jìn)材料學(xué)會會士(International Association of Advanced Materials, Fellow)、臺灣真空學(xué)會會士(Taiwan Vacuum Society, Fellow)、電子元件及材料協(xié)會傑出服務(wù)獎、光學(xué)工程學(xué)會工程獎?wù)隆⒅袊姍C(jī)工程學(xué)會傑出電機(jī)工程教授獎及中國工程師學(xué)會傑出工程教授獎，有庠科技獎座獎(光電類)，CMO Asia 亞洲教育卓越獎/ 教 育 領(lǐng) 導(dǎo) 獎 ， 及 瑞 典 VEBLEO SCIENTIST AWARD(Vebleo Webinar on Nanomedicine, Nanomaterials and Nanotechnology)。
李清庭教授在半導(dǎo)體元件及光電元件的卓越研發(fā)成果由 1995 年迄今在國際 SCI 期刊發(fā)表文章 389 篇，在國內(nèi)外研討會發(fā)表 392 篇，除榮獲多次論文獎外，尚多次受邀為 plenary speaker、keynote speaker 及 invited speaker，且多次為研討會的 committee，曾撰寫著作四本英文專書及一本中文專書，在其研發(fā)過程中，曾首創(chuàng)設(shè)計三部儀器設(shè)備:(1)Vapor cooling condensation system，於低溫約 80?K 蒸鍍高品質(zhì)的氧化金屬薄膜(如 ZnO, Ga2O3, InGaZnO 及 ZnBeMgO 等)，在國際上創(chuàng)新成長高絕緣氧化鋅薄膜及 P 型氧化鋅薄膜，並應(yīng)用於薄膜電晶體、氣體感測器及金氧電晶體中，此外，尚創(chuàng)新在低溫成長氧化金屬薄膜的模型及理論，(2)Laser-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition system (LAPECVD):結(jié)合 CO2 雷射及 PECVD 系統(tǒng)，使在成長SiO2, Si3N4, SiC 及 SiGe 薄膜時，除能利用原有的電漿解離 SiH4 及 GeH4 外，尚可藉由 CO2 雷射輔助解離，因此可以在成長的薄膜中解析出矽奈米顆粒並能降低 Si-H 鍵結(jié)密度，以致能有效作為奈米記憶元件，並可提昇矽太陽電池的效率衰減，由此榮獲國際研討會(Optoelectronics and communication conference)傑出論文獎，(3)Photoelectrochemical oxidation and etching system:有見於在矽晶片上能直接成長 SiO2 薄膜，方能成功製作高性能的矽基 MOS 元件及 CMOS 積體電路，為克服在Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體直接氧化層的困難，因此設(shè)計此系統(tǒng)能直接在 GaAs 及 GaN 晶片上成長高品質(zhì)閘極氧化層，並改變?nèi)芤旱?PH 值，可以在無損傷晶片的表面加以蝕刻閘極及奈米多通道，因此在氮化鎵 D-mode 及 E-mode MOSHEMTs 及鰭狀奈米陣列(fin-nanochannel array)MOSHEMTs 有傑出的研究成果，並於 2018 年及 2019 年連續(xù)兩年榮獲國際研討會傑出論文獎。
>> 1111 TUN大學(xué)網(wǎng)
university.1111.com.tw/index.asp
>>知名大學(xué)聯(lián)合校徵
http://m.myqueenbquilts.com/campusr/
>> 最新職訓(xùn)補(bǔ)助課→點我
https://is.gd/axnylY
>> 1111家教網(wǎng)
tutor.1111.com.tw/
>> 工作新鮮事都在1111 IG
https://www.instagram.com/1111.com.tw/
>>產(chǎn)學(xué)合作 預(yù)約人才
https://iacp.1111.com.tw/
元智大學(xué)副校長李清庭電機(jī)工程獎?wù)?/a>